RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2250
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kllisre 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link