RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
35
Autour de -13% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
31
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2307
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link