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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Raisons de considérer
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
35
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
24
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
2491
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
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