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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Raisons de considérer
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
39
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
36
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
3313
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
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