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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
39
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
31
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
3318
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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