Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB

Note globale
star star star star star
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Note globale
star star star star star
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB

Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 39
    Autour de -39% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    17.3 left arrow 11.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    15.4 left arrow 7.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 10600
    Autour de 2.01 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    39 left arrow 28
  • Vitesse de lecture, GB/s
    11.7 left arrow 17.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.2 left arrow 15.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1749 left arrow 3628
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons