RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
39
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
31
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
3199
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link