RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
39
Autour de -56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.3
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
18.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
4174
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link