RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
39
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
3191
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link