RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Comparez
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Note globale
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
39
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
36
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1749
3351
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Comparaison des RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link