RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
56
Autour de -87% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
2742
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link