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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
56
Autour de -93% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
3748
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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