RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
56
Autour de -93% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.8
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
18.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
4112
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link