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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Comparez
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Note globale
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
52
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
14900
Autour de 1.72 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
33
Vitesse de lecture, GB/s
9.7
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
25600
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2173
2876
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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