RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Comparez
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Note globale
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
73
Autour de 63% latence réduite
Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
73
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2275
1843
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link