RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
34
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2824
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link