RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
33
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2823
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link