RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3694
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link