RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
33
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3260
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link