RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
101
Autour de 74% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
101
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
12.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1382
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link