RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
10.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1651
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link