RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
62
Autour de 58% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
62
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
1586
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link