RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
3065
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link