RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
3315
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link