RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
62
Autour de 55% latence réduite
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
62
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
2138
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link