RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Comparez
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Note globale
AMD R744G2606U1S 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
76
Autour de 36% latence réduite
Raisons de considérer
AMD R744G2606U1S 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
76
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2427
1809
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link