RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
51
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
36
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2966
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link