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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
51
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
49
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2534
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
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