RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
51
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.9
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
31
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
21.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3805
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link