RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
49
Autour de -104% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
24
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2865
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link