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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Comparez
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Note globale
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Note globale
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
52
Autour de -86% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.7
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
1426
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
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