RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
74
Autour de 41% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
74
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
1714
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link