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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
44
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
37
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2804
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
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