RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
44
Autour de -69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2890
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link