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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Raisons de considérer
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
44
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2890
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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