RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
47
Autour de -47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
3379
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link