RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
91
Autour de 48% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.4
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
4.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
91
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
6.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
4.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
1214
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link