RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
27
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
3561
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link