RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
35
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
35
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
2426
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link