RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
33
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
23
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
3004
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link