RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
33
Autour de -10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
30
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
2761
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link