RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
54
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
34
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2791
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link