RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
54
Autour de -69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
32
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2677
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link