RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
54
Autour de -93% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
2481
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link