RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
54
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
36
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
1778
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link