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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
Comparez
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
Note globale
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
51
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
51
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2049
2778
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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