RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
79
Autour de 38% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
79
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
1850
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link