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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
49
Autour de -69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.0
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2116
3353
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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