RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
31
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
31
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
2316
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link