RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
73
Autour de 63% latence réduite
Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
73
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
1843
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link